[发明专利]一种消除晶边颗粒残留的铝刻蚀前置工艺方法

摘要

本发明公开了一种消除晶边颗粒残留的铝刻蚀前置工艺方法，通过在通常的铝刻蚀工艺之前，在干法刻蚀机台内增加一道针对晶圆边缘的晶边部位存在的前层工序中的膜堆积残留物的干法刻蚀处理工艺，将刻蚀工艺细分为三个工艺阶段，在不同工艺条件下，通入不同的混合反应气体，对晶圆晶边的一定区域进行选择性刻蚀处理，预先去除了晶圆晶边部位的膜堆积残留物，从而避免了在之后通常的铝刻蚀时发生因前层工序中的膜堆积残留物没法完全去除，而造成晶圆晶边颗粒残留的现象，解决了对后续湿法清洗带来的交叉污染问题，降低了颗粒的整体水平，并由此降低了机台清扫的频度，降低了人力成本及维护风险，使产品得以正常流通。

主权项

一种消除晶边颗粒残留的铝刻蚀前置工艺方法，其特征在于，所述前置工艺方法是在通常的铝刻蚀工艺之前，在干法刻蚀机台内增加一道针对晶圆边缘的晶边部位存在的前层工序中的膜堆积残留物的干法刻蚀处理工艺，以预先去除晶圆晶边部位的膜堆积残留物，避免在之后通常的铝刻蚀时发生因前层工序中的膜堆积残留物没法完全去除，而造成晶圆晶边颗粒残留的现象，包括以下步骤：步骤一：提供进行前层工序后的晶圆，对晶圆的非刻蚀区域进行选择性遮蔽保护；将所述晶圆置于干法刻蚀机台反应腔体内的晶圆放置区并进行对中，对所述晶圆上、下表面的有效芯片区域进行遮蔽，留出所述晶圆的晶边部位处于裸露状态，并使所述晶圆裸露的晶边非遮蔽部位处于所述刻蚀机台的等离子体的有效轰击范围内；步骤二：分三个工艺阶段，在不同工艺条件下，通入不同的混合反应气体，对所述晶圆进行晶边选择性刻蚀；其中，在第一工艺阶段，向腔体内通入一定流量比的N₂、O₂和CF₄的混合反应气体，保持较高的腔体内压力，打开刻蚀机台的RF射频电源，开始工艺，在第二工艺阶段，向腔体内通入一定流量比的N₂、CF₄和CO₂的混合反应气体，保持较低的腔体内压力，进入主工艺，在第三工艺阶段，向腔体内通入一定流量比的N₂和O₂的混合反应气体，恢复较高的腔体内压力，并持续到工艺结束；步骤三：刻蚀结束；关闭RF射频电源，进行工艺气体吹扫降温，将所述晶圆移出反应腔体，等待进行后续通常的铝刻蚀工艺。