[发明专利]一种用于超高温环境下的SiC绝压腔制备方法有效
| 申请号： | 201410215910.1 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103991840A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 曹正威;尹玉刚;邹江波;张世名;赵广宏;许姣 | 申请（专利权）人： | 北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100076 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种用于超高温环境下的SiC绝压腔制备方法，本发明主要是在SiC片上通过ICP（等离子刻蚀）刻蚀得到腔体图形，再利用HF酸去除SiC表面本征氧化层，最后通过高温热压退火制备出用于高温环境下的SiC绝压腔，本发明提高了SiC绝压腔的真空度和耐高温性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 超高温 环境 sic 绝压腔 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于超高温环境下的SiC绝压腔制备方法，其特征在于步骤如下：（1）准备两片一定尺寸4H‑SiC片；（2）取第一片SiC片，利用磁控溅射在Si面分别依次生长一定厚度的Ti和Ni作为ICP刻蚀掩蔽膜，光刻图形化一定图形；（3）对步骤（2）中带有一定图形的SiC片进行干法刻蚀，其中Ti和Ni作为掩蔽膜，刻蚀完成后去除掩膜层；（4）将步骤（3）中去除掩蔽膜的SiC片和第二片SiC片进行RCA清洗；（5）将步骤（4）中清洗后的两片SiC片在浓HF酸中进行不少于30min的漂洗，漂洗完成后在去离子水中清洗干净，最后把晶片完全浸没在去离子水中并在水中进行对准贴合实现预键合；（6）利用氮气枪把步骤（5）中预键合好的键合片表面的水吹干；（7）把预键合好的键合片置于超高温真空热压炉中进行热处理，热处理过程是：抽真空至5×10‑3Pa，开始升温至1150℃～1200℃，当温度达到1150℃～1200℃时再施加20MPa的压力，保持温度和压力3‑4小时，最终实现用于超高温环境下的SiC绝压腔制备。
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