[发明专利]一种超结沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

摘要

本发明公开一种超结沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，一种具有短终端区长度的超结沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中，所述的终端区还包括一个沟道阻止区，其靠近外延层的上表面，有一个沟槽式终端接触区穿过该沟道组织区并延伸入所述的外延层。

主权项

一种超结沟槽金属氧化物半导体场效应管，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，位于所述衬底之上，其中所述外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；多个填充以介电质层的深沟槽，由所述外延层的上表面向下延伸入所述的衬底中，其中每个深沟槽中的电介质层内部都包括一个孔洞；每两个相邻的深沟槽之间的台面结构；第一导电类型的第一柱状掺杂区，位于所述的台面结构中；第二导电类型的第二柱状掺杂区，位于所述的台面结构中，靠近所述深沟槽的侧壁，并平行围绕所述的第一柱状掺杂区；第二导电类型的体区，位于所述的台面结构中，覆盖所述第一柱状掺杂区和所述第二柱状掺杂区的上表面；至少一个栅沟槽，其填充以掺杂的多晶硅层并衬有栅极氧化层，该栅沟槽由所述台面结构的上表面向下穿过所述的体区，并延伸入所述的第一柱状掺杂区中；多个填充以接触金属插塞的沟槽式源体接触区，穿过一层接触绝缘层并延伸入所述的体区；第一导电类型的源区，围绕所述栅沟槽的上部分，并位于所述栅沟槽的侧壁和与之相邻的沟槽式源体接触区的侧壁之间；和终端区，包括一个由第一导电类型的第三柱状掺杂区和第二导电类型的第四柱状掺杂区构成的电荷平衡区，其靠近一个所述的深沟槽，该终端区还包括一个靠近所述外延层上表面的沟道阻止区，其多数载流子的浓度高于所述的外延层。