[发明专利]基于MgxZn1-xO压电薄膜的固体装配型谐振器在审
| 申请号： | 201410216787.5 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104009727A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;沈勇;刘一剑;徐东;杨翰林 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MgxZn1-xO压电薄膜的固体装配型谐振器，其包括电极、压电薄膜、Bragg反射层薄膜和基片，所述的Bragg反射层由高声阻薄膜和低声阻薄膜组成，依次溅射n个周期的高声阻薄膜和低声阻薄膜，且最上层为低声阻薄膜；压电薄膜的材料是MgxZn1-xO，其中n为正整数，0.05≦x≦0.33。本发明结构稳定、机械强度高、回波损耗值高、机电耦合系数和品质因数较高，且成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mg sub zn 压电 薄膜 固体 装配 谐振器 | ||
【主权项】：
一种基于MgxZn1‑xO压电薄膜的固体装配型谐振器，其特征在于，其包括电极、压电薄膜、Bragg反射层薄膜和基片，所述的Bragg反射层由高声阻薄膜和低声阻薄膜组成，依次溅射n个周期的高声阻薄膜和低声阻薄膜，且最上层为低声阻薄膜；压电薄膜的材料是MgxZn1‑xO，其中n为正整数，0.05≦x≦0.33。
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