[发明专利]一种单极型有机发光场效应晶体管无效
申请号: | 201410216919.4 | 申请日: | 2014-05-21 |
公开(公告)号: | CN103956433A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 伊然;崔少波;胡煜峰;娄志东;侯延冰;滕枫 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/05 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 黄家俊 |
地址: | 100044 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于晶体管器件技术领域,特别涉及一种单极型有机发光场效应晶体管。本发明晶体管由源电极、漏电极、发光层、场效应传输层、绝缘层、栅电极和基板构成;所述场效应传输层、绝缘层、栅电极和基板顺次接触相连,所述场效应传输层上分别设置发光层和源电极,所述发光层和源电极之间不接触相连,所述发光层上设置漏电极,所述漏电极的面积小于发光层。本发明使用新型结构,结合了有机发光二极管的发光性能和有机场效应晶体管的电流控制特性,用一个器件同时实现对电流和发光的控制。使用栅电压来控制源漏电极之间电流的大小,从而达到控制发光强度的目的。本发明可以进一步降低平板显示技术中的电子器件复杂程度,提高显示面板的集成度。 | ||
搜索关键词: | 一种 单极 有机 发光 场效应 晶体管 | ||
【主权项】:
一种单极型有机发光场效应晶体管,其特征在于:所述晶体管由源电极(1)、漏电极(2)、发光层(3)、场效应传输层(4)、绝缘层(5)、栅电极(6)和基板(7)构成;所述场效应传输层(4)、绝缘层(5)、栅电极(6)和基板(7)顺次接触相连,所述场效应传输层(4)上分别设置发光层(3)和源电极(1),所述发光层(3)和源电极(1)之间不接触相连,所述发光层(3)上设置漏电极(2),所述漏电极(2)的面积小于发光层(3),所述源电极(1)和漏电极(2)之间不接触相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京交通大学,未经北京交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410216919.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择