[发明专利]金属基带上适用于REBCO超导层生长的模板制备方法有效

专利信息
申请号: 201410217749.1 申请日: 2014-05-22
公开(公告)号: CN103993277B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 赵遵成;田晓光;卢涛;杨广军 申请(专利权)人: 赵遵成
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 475004 河南省开封*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明是一种金属基带上适用于REBCO超导层生长的模板制备方法,属于高温超导材料制备技术领域。本发明包括以下步骤:(1)金属基带表面清洗;(2)采用化学溶液平坦化方法(SDP)在金属基带上制备隔离层;(3)采用离子束辅助射频磁控溅射方法(IBAD‑MgO)在隔离层上制备双轴织构氧化镁层;(4)采用射频磁控溅射方法制备锰酸镧层;(5)采用直流磁控反应溅射方法制备氧化铈层。本发明通过物理与化学制备方法的综合应用,为规模化生产高温超导带材模板提供了一种低成本制备方法。
搜索关键词: 金属 基带 适用于 rebco 超导 生长 模板 制备 方法
【主权项】:
1.一种金属基带上适用于REBCO超导层生长的模板制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)金属基带表面清洗,先用丙酮清洗,后用乙醇清洗;(2)采用化学溶液平坦化方法(SDP)在金属基带上制备隔离层,通过连续走带、阶梯加热、多通道重复化学溶液平整化方法制备非晶氧化物多层膜作为隔离层,厚度范围800‑1500纳米,表面平均粗糙度小于2纳米;(3)采用离子束辅助射频磁控溅射方法(IBAD‑MgO)在隔离层上制备双轴织构氧化镁层;(4)采用射频磁控溅射方法在双轴织构氧化镁层上制备锰酸镧层,采用多通道设备射频磁控溅射锰酸镧靶材,制备锰酸镧薄膜,氧气压力范围0.05‑10Pa,基带加热温度范围650‑750度;(5)采用直流磁控反应溅射方法在锰酸镧层上制备氧化铈层,采用多通道设备直流反应溅射制备氧化铈,氧气压力范围0.1‑20Pa,基带加热温度范围650‑750度。
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