[发明专利]一种半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201410217871.9 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN105097694B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；对所述栅极结构的两侧执行离子注入；对所述半导体衬底的表面进行预清洗处理，以去除在所述离子注入步骤中在所述半导体衬底表面形成的无定型物质；在所述处理后的所述栅极结构两侧的半导体衬底上外延生长第一半导体材料层。本发明在PMOS区域形成所述Si层之后选用HCl对所述NMOS区域的源漏区表面进行处理，去除所述PMOS区域上的Si层的同时在所述NMOS区域的源漏上形成沟槽，然后再次外延生长Si层，以在所述NMOS区域和所述PMOS区域的源漏上均形成外延的Si层，实现所述NMOS以及PMOS区域源漏上应力的设计，提高半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；对所述栅极结构的两侧执行离子注入；对所述半导体衬底的表面进行预清洗处理，以去除在所述离子注入步骤中在所述半导体衬底表面形成的无定型物质；在所述预清洗处理后的所述栅极结构两侧的半导体衬底上外延生长第一半导体材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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