[发明专利]一种MEMS压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201410217875.7 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN105092112B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 张先明;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS压力传感器及其制备方法，所述方法包括提供基底，所述基底上形成有层间介质层以及位于所述层间介质层中的底部电极；在所述底部电极上方形成图案化的牺牲材料层；在所述牺牲材料层上和所述层间介质层上形成热隔离层，以覆盖所述牺牲材料层和所述层间介质层；在所述热隔离层上形成压力传感膜，以作为顶部电极；执行激光退火步骤，以提高所述压力传感膜的应力性能。本发明的优点在于(1)对所述牺牲材料层(无定形碳)没有热损坏；(2)对所述顶部电极互连结构中的金属层(Al)没有热损坏；(3)对所述隔离层poly‑SiGe的应力具有好的调节效果；(4)顶部电极互连结构不会断开或者失效，提高器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS压力传感器的制备方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上形成有层间介质层以及位于所述层间介质层中的底部电极；在所述底部电极上方形成图案化的牺牲材料层；在所述牺牲材料层上和所述层间介质层上形成热隔离层，以覆盖所述牺牲材料层和所述层间介质层；在所述热隔离层上形成压力传感膜，以作为顶部电极；执行激光退火步骤，以提高所述压力传感膜的应力性能，其中所述热隔离层有助于改善所述压力传感膜的应力。
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