[发明专利]一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构

摘要

本发明公开了一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构，将CMOS工艺中多晶硅栅极现有技术通行的使用N型杂质重掺杂的做法改为使用P型杂质掺杂，并且对P型掺杂浓度进行适当调整，改变多晶硅栅极和硅之间的功函数差得到一种低夹断电压的耗尽型PMOS管。本发明不需要增加耗尽层光刻和注入，只需要改变栅极多晶的掺杂类型，这样可以减少生产成本，提高产品竞争力。

主权项

一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构，在P衬底片的上表面设置一层N阱，N阱从PMOS管区域的硅片表面向下扩散，构成PMOS管的背栅，在PMOS管区域的硅片上间隔的设置有大有源区、小有源区和场区，所述大、小有源区的上表面设置有栅氧化物和复数个接触孔，所述场区的上表面设置有场氧化物构成大、小有源区之间的隔离，所述小有源区处设置有N+注入扩散区，所述N+注入扩散区与接触孔相连接，构成背栅的引出端，所述大有源区的两端分别设置有P+注入扩散区，两处P+注入扩散区分别与接触孔相连接，构成PMOS管的源极和漏极，其特征在于：在大有源区的两处P+注入扩散区之间设置有P型掺杂多晶硅栅，所述P型掺杂多晶硅栅延伸至场区，构成PMOS管的栅极。