[发明专利]N型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种N型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其工艺流程包括：N型单晶硅正面激光开槽，制绒并对其清洗，正面扩散形成PN结，去背结和硼硅玻璃，背面离子注入P并退火，双面镀膜，背面局部区域开膜和电极制作。该制备方法减少了遮光面积，增加了光生电流，能更好的收集硅片产生的电流，同时在金属与硅片之间形成良好的欧姆接触；制备步骤简单，设备投入少，与传统生产线的兼容性高；克服传统刻槽埋栅电池电极结合力、导电性能差等缺点。

主权项

一种N型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其特征在于：其工艺流程包括：N型单晶硅正面激光开槽‑制绒并对其清洗‑正面扩散形成PN结‑去背结和硼硅玻璃‑背面离子注入P并退火‑双面镀膜‑背面局部区域开膜‑电极制作。