[发明专利]增强光刻工艺窗口的光学邻近修正方法有效
申请号: | 201410218385.9 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN105093809B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 张婉娟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐洁晶 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种增强光刻工艺窗口的光学邻近修正方法,包括步骤:A.提供待修正的原始图形;B.插入基于规则的散射条,作为原始散射条;C.选择出孤立的散射条并将其扩大,对该扩大规则进行精调;D.执行光学邻近修正;E.检查修正后的散射条是否在晶圆上显影出来,若否,进入步骤F;若是,则返回上述步骤C;F.输出经过光学邻近修正后的图形。本发明能够明显地改善光刻工艺窗口,改进光学邻近修正质量,使之具有更好的收敛性。另外还能够减少手动调试时间,加快OPC工艺菜单的开发。 | ||
搜索关键词: | 增强 光刻 工艺 窗口 光学 邻近 修正 方法 | ||
【主权项】:
1.一种增强光刻工艺窗口的光学邻近修正方法,包括步骤:A.提供待修正的原始图形;B.插入基于规则的散射条,作为原始散射条;C.选择出孤立的所述散射条并将其扩大,对该扩大规则进行精调;D.执行光学邻近修正;E.检查修正后的所述散射条是否在晶圆上显影出来,若否,进入步骤F;若是,则返回上述步骤C;以及F.输出经过光学邻近修正后的图形;其中,上述步骤C包括:检查所述散射条的每一条边缘,搜索孤立的所述散射条的待调整边缘;将所述待调整边缘向外扩展一数值c;其中,搜索孤立的所述散射条的待调整边缘的方式为:判断每一条所述边缘的宽度是否小于等于一数值a并且距离是否大于等于一数值b;若是,则确定所述边缘为待调整边缘。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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