[发明专利]延迟锁相环操作模式控制电路及其控制方法有效
申请号: | 201410218744.0 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN104184462B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 金锭炫;郑圭荣;姜正秀 | 申请(专利权)人: | 美格纳半导体有限公司 |
主分类号: | H03L7/08 | 分类号: | H03L7/08 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王兆赓;韩明星 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供一种延迟锁相环(DLL)操作模式控制电路以及相应的方法,其中,检测来自显示驱动器IC(DDI)的输出值中的一个以将DLL块切换到待机模式。在示例中,CLKP/N频率和CLKP/N公共端电压状态被用于切换模式。因此,由于不应存在于DLL块的正常模式间隔内的不可操作的频域包括在待机模式中,因此可提供DLL电路的更稳定的操作。 1 | ||
搜索关键词: | 操作模式控制 电路 延迟锁相环 公共端电压 显示驱动器 在待机模式 待机模式 切换模式 正常模式 频域 输出 检测 | ||
第一比较单元,被构造为将显示器驱动器集成电路的时钟频率与参考频率进行比较;
第二比较单元,被构造为将显示器驱动器集成电路的公共端电压与参考电压进行比较;以及
逻辑门,被构造为响应于从第一比较单元和第二比较单元中的至少一个施加的待机模式切换信号,输出用于将延迟锁相环切换到待机模式的待机使能信号。
2.如权利要求1所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,延迟锁相环包括比较单元、相频检测器、电荷泵和电压控制延迟线。3.如权利要求2所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,待机模式切换信号被施加到比较单元、相频检测器、电荷泵和电压控制延迟线中的每一个。4.如权利要求2所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,延迟锁相环被构造为在比较单元接收作为差分时钟信号的显示器驱动器集成电路的一对时钟频率信号。5.如权利要求1所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,第一比较单元包括:第一比较器,被构造为接收作为差分时钟信号的显示器驱动器集成电路的一对时钟频率信号;
低通滤波器,被构造为对来自第一比较器的原始输出频率信号进行滤波;以及
控制器,被构造为接收所述原始输出频率信号和通过低通滤波器的输出频率信号,并比较所述原始输出频率信号和通过低通滤波器的输出频率信号的上升沿的数量,以产生待机模式切换信号。
6.如权利要求5所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,来自第一比较器的原始输出频率信号表示所述一对时钟频率信号之间的关系。7.如权利要求5所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,当原始输出频率信号和通过低通滤波器的输出频率信号的上升沿的数量相等时,产生待机模式切换信号。8.如权利要求5所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,低通滤波器被构造为与大于或等于延迟锁相环的最小正常可操作频率的频率相关联。9.如权利要求1所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,第一比较单元响应于显示器驱动器集成电路的时钟频率小于延迟锁相环的正常操作频率,而产生待机模式切换信号。10.如权利要求1所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,逻辑门为或门。11.如权利要求10所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,或门的一个输入端连接到第一比较单元的输出端,并且或门的另一输入端连接到第二比较单元的输出端。12.如权利要求1所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,第二比较单元响应于公共端电压大于参考电压而产生待机模式切换信号。13.如权利要求1所述的延迟锁相环操作模式控制电路,其中,第二比较单元包括第二比较器,其中,第二比较器包括连接到上拉电阻器和内部电压端以接收作为差分时钟信号的一对时钟频率信号的公共端电压的正向端、以及用于接收预设的参考电压的反向端,并且第二比较器响应于公共端电压大于参考电压而产生待机模式切换信号。14.一种延迟锁相环操作模式控制方法,包括:在延迟锁相环操作模式控制电路,检测显示器驱动器集成电路的时钟频率或操作状态;
响应于指示异常操作的操作状态或响应于时钟频率小于预设的延迟锁相环正常操作频率,产生待机模式切换信号;并
根据待机模式切换信号将延迟锁相环置于待机模式。
15.如权利要求14所述的延迟锁相环操作模式控制方法,其中,当作为差分时钟信号的显示器驱动器集成电路的一对时钟频率信号具有高阻抗状态时,根据操作状态产生待机模式切换信号。16.如权利要求14所述的延迟锁相环操作模式控制方法,其中,基于操作状态和时钟频率中的至少一个,待机模式切换信号是由频率比较单元产生的第一信号,或者是由电平比较单元产生的第二信号。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美格纳半导体有限公司,未经美格纳半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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