[发明专利]一种高硬度、低摩擦系数的VAlSiN耐磨涂层有效
申请号: | 201410218844.3 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN104032268B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 黄峰;李朋;李栋;孟凡平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06;B32B9/04 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人: | 刘诚午 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种高硬度、低摩擦系数的VAlSiN耐磨涂层,成分表示为VaAlbSicNd,其中,a+b+c+d=1,0.381≤a+b+c≤0.709,且a、b和c均不为0,a、b、c、d为原子比率;所述涂层具有柱状晶生长结构。所述涂层在满足使用过程中对硬度要求(H>30GPa)的同时兼具较低的摩擦系数(μ<0.5),并表现出良好的耐磨性能(磨损率<10‑16m3/N.m)。适合高温、高速、重载环境下用来增加物件表面的耐磨性;也可以作为一种刀具涂层,用来加工钛合金、镍合金等传统刀具涂层难以切削加工的合金。本发明还公开了所述VAlSiN耐磨涂层的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 硬度 摩擦系数 valsin 耐磨 涂层 | ||
【主权项】:
一种高硬度、低摩擦系数的VAlSiN耐磨涂层,其特征在于,成分表示为VaAlbSicNd,其中,a=0.224,b=0.317,c=0.016,d=0.443,a、b、c、d为原子比率;所述的VAlSiN耐磨涂层呈柱状晶生长结构,且涂层致密,涂层电阻率为8.0μΩ.cm~10μΩ.cm;所述的VAlSiN耐磨涂层具有面心立方的VAlN与非晶相的Si3N4的两相复合结构,颗粒尺寸为50~100nm,具有高度VN(111)择优取向;在2θ角=30°~48°时,所述的VAlSiN耐磨涂层仅出现了VN(111)衍射峰;所述的VAlSiN耐磨涂层的制备方法,步骤如下:(1)基底清洗;(2)涂层沉积:真空室中,将硅靶和钒铝合金靶分别与直流电源和中频脉冲电源阴极相连,在工作气体氮气和氩气存在的情况下,通过反应磁控溅射法在基底上的至少一个主表面上沉积,得到所述的VAlSiN耐磨涂层;所述的钒铝合金靶成分为V1‑xAlx,其中,0.5≤x≤0.7;所述的硅靶电源功率密度为0.5W/cm2,钒铝合金靶电源功率密度为5.7W/cm2。
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