[发明专利]一种栅极、半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410218947.X | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097897A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种栅极、半导体器件及其制作方法。其中，该栅极包括：第一栅极部，设置在衬底上；第二栅极部，设置在第一栅极部上，且第一栅极部的上表面的面积小于第二栅极部的下表面的面积。上述栅极通过第一栅极与第二栅极的设置，使其外表面面积得以增大，进而增大了栅极和周围的器件之间的耦合比例，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种栅极，其特征在于，包括：第一栅极部，设置在衬底上；第二栅极部，设置在所述第一栅极部上，且所述第一栅极部的上表面的面积小于所述第二栅极部的下表面的面积。
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