[发明专利]降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法有效
申请号: | 201410219282.4 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN105093810B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 张婉娟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法,包括:a.对掩模板图形进行光学模拟,所述掩模板图形中包含通孔;b.解析所述通孔的轮廓,其中所述轮廓包含多条边;c.计算出该轮廓的边缘定位误差;d.判断该轮廓的边缘定位误差是否达到预设的轮廓目标范围;e.如果该轮廓的边缘定位误差超出所述轮廓目标范围,则e1.检查所述轮廓的多条边中的每一条的优先级;e2.依照所述优先级的次序,对所述掩模板图形进行修正;e3.用经步骤e2修正的掩模板图形替换上述步骤a中的掩模板图形,再对该经步骤e2修正的掩模板图形重新执行该方法;以及f.如果该轮廓的边缘定位误差达到所述轮廓目标范围,则完成对掩模板图形的光学邻近修正。 | ||
搜索关键词: | 降低 关键 尺寸 光学 邻近 修正 边缘 定位 误差 方法 | ||
【主权项】:
1.一种降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法,包括:a.对掩模板图形进行光学模拟,以模拟所述掩模板图形经光刻后于硅片上所形成的图像,所述掩模板图形中包含通孔;b.解析所述通孔的轮廓,其中所述轮廓包含多条边;c.将解析出的通孔的轮廓同该通孔的目标图形进行比较,以计算出该轮廓的边缘定位误差;d.判断该轮廓的边缘定位误差是否达到预设的轮廓目标范围;e.如果该轮廓的边缘定位误差超出所述轮廓目标范围,则e1.检查所述轮廓的多条边中的每一条的优先级;e2.依照所述优先级的次序,对所述掩模板图形进行修正,其中该修改包括:先调整所述多条边中的具有高优先级的边以使该具有高优先级的边的边缘定位误差达到其目标范围,然后再调整具有低优先级的边,其中允许调整所述具有低优先级的边,以使该具有低优先级的边的边缘定位误差超出其目标范围;e3.用经步骤e2修正的掩模板图形替换上述步骤a中的掩模板图形,再对该经步骤e2修正的掩模板图形重新执行该方法;以及f.如果该轮廓的边缘定位误差达到所述轮廓目标范围,则完成对掩模板图形的光学邻近修正。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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