[发明专利]一种平面靶材的磁场结构及其使用方法和磁控溅射设备在审
| 申请号： | 201410219371.9 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103993278A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王东亮;王琳琳;李兴亮;王瑞瑞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面靶材的磁场结构及其使用方法和磁控溅射设备，其中平面靶材的磁场结构包括第一级磁铁和第二级磁铁，第二级磁铁设置在第一级磁铁的空隙中，且第二级磁铁到靶材表面的垂直距离大于第一级磁铁到靶材表面的垂直距离。通过增加与原来第一级磁铁向平行的第二级磁铁，两级磁铁相结合使得在第一级磁铁在靶材表面形成磁场的薄弱区域上有第二级磁铁产生的磁场作为弥补，改善靶材表面磁场的均匀性，从而使得靶材表面的等离子密度趋于均匀，保证靶材消耗不会出现有的部分过快的问题，可以改善靶材表面的刻蚀均匀性，从而提高靶材的使用率。通过具有该磁场结构的靶材对基板进行溅射，可以保证基板上成膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 磁场 结构 及其 使用方法 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】：
一种平面靶材的磁场结构，其特征在于，包括第一级磁铁和第二级磁铁，第二级磁铁设置在第一级磁铁的空隙中，且第二级磁铁到靶材表面的垂直距离大于第一级磁铁到靶材表面的垂直距离。
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