[发明专利]形成应变硅层的方法、PMOS器件的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410220027.1 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097437A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 韦庆松;于书坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种形成应变硅层的方法、PMOS器件的制作方法及半导体器件。其中，形成应变硅层的方法包括：在衬底中形成凹槽，在凹槽的内壁表面形成应变硅种子预备层；以及在形成应变硅种子预备层后对应变硅种子预备层进行离子注入，形成应变硅种子层。在该方法中，离子注入工艺能够精确控制应变硅种子层中掺杂离子的掺杂量和分布均匀性，使得所形成应变硅层中的压应力均匀分布，进而提高了空穴的迁移率，并提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 应变 方法 pmos 器件 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种形成应变硅层的方法，包括在衬底中形成凹槽，在所述凹槽的内壁表面上形成应变硅种子层的步骤，其特征在于，形成所述应变硅种子层的步骤包括：在所述凹槽的内壁表面形成应变硅种子预备层；以及在形成所述应变硅种子预备层后，对所述应变硅种子预备层进行离子注入，形成所述应变硅种子层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
