[发明专利]一种具有斜坡补偿功能的低压低功耗PWM比较器有效
申请号: | 201410220083.5 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN104242629B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 刘帘曦;马丽;沐俊超;朱樟明;杨银堂 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H02M3/00 | 分类号: | H02M3/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供一种具有斜坡补偿功能的低压低功耗PWM比较器,包括偏置电压产生模块,斜坡电压产生模块,电压求和模块和PWM波产生模块,其中,偏置电压产生模块为电压求和模块和PWM波产生模块提供偏置电压;斜坡电压产生模块输出具有预设占空比和幅度的锯齿波信号,为电压求和模块提供斜坡补偿电压;电压求和模块将斜坡补偿电压转换为斜坡电流,将其与一电感采样电流信号进行叠加,再经过电阻得到第一电压,作为PWM波产生模块的正相输入端的输入信号;PWM波产生模块将第一输入电压转换为放大器电流,再经过电阻得到第二电压,作为PWM波产生模块的反相输入端的输入信号;PWM波产生模块通过比较第一电压和所述第二电压,输出控制功率器件的PWM信号。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 斜坡 补偿 功能 压低 功耗 pwm 比较 | ||
【主权项】:
一种具有斜坡补偿功能的低压低功耗PWM比较器,其特征在于,包括:偏置电压产生模块,斜坡电压产生模块,电压求和模块和PWM波产生模块,其中,所述偏置电压产生模块为所述电压求和模块和所述PWM波产生模块提供偏置电压(Vbias);所述斜坡电压产生模块输出具有预设占空比和幅度的锯齿波信号,为所述电压求和模块提供斜坡补偿电压;所述电压求和模块将所述斜坡补偿电压转换为斜坡电流,将其与一电感采样电流信号进行叠加,再经过一电阻得到第一电压(Va),并将所述第一电压(Va)作为所述PWM波产生模块的正相输入端的输入信号;所述PWM波产生模块将第一输入电压(Ve)转换为放大器电流,再经过一电阻得到第二电压(Vb),并将所述第二电压(Vb)作为所述PWM波产生模块的反相输入端的输入信号;PWM波产生模块通过比较所述第一电压(Va)和所述第二电压(Vb),输出控制功率器件的PWM信号;其中,所述PWM波产生模块包括:第七NMOS管(MN7),第八NMOS管(MN8),第九NMOS管(MN9),第十NMOS管(MN10),第十一NMOS管(MN11),第三PMOS管(MP3),第四PMOS管(MP4),第五PMOS管(MP5),第六PMOS管(MP6)以及第四电阻(R4),第五电阻(R5),其中,所述第三PMOS管(MP3)的源极和衬底接电源电压,所述第四PMOS管(MP4)的源极和衬底接电源电压,所述第五PMOS管(MP5)的源极和衬底接电源电压,所述第六PMOS管(MP6)的源极和衬底接电源电压;所述第三PMOS管(MP3)的栅极、所述第四PMOS管(MP4)的栅极、所述第五PMOS管(MP5)的栅极和所述第六PMOS管(MP6)的栅极均与所述偏置电压(Vbias)连接;所述第八NMOS管(MN8)的衬底、所述第九NMOS管(MN9)的衬底、所述第十NMOS管(MN10)的衬底和所述第十一NMOS管(MN11)的衬底均接地;所述第十NMOS管(MN10)的源极接地,所述第十一NMOS管(MN11) 的源极接地;所述第三PMOS管(MP3)的漏极与所述第八NMOS管(MN8)的漏极相连,并与所述第八NMOS管(MN8)的栅极和所述第九NMOS管(MN9)的栅极连接;所述第八NMOS管(MN8)的源极与第一电压(Va)连接,所述第九NMOS管(MN9)的源极与所述第四电阻(R4)的一端相连,并接所述第五电阻(R5)的一端,并输出所述第二电压(Vb);所述第四电阻(R4)的另一端接地,所述第五电阻(R5)的另一端与所述第七NMOS管(MN7)的源极相连,所述第七NMOS管(MN7)的栅极与所述第一输入电压(Ve)连接,所述第七NMOS管(MN7)的漏极与电源电压相连,且所述第七NMOS管(MN7)的衬底接地;第九NMOS管(MN9)的漏极与所述第四PMOS管(MP4)的漏极相连,并连接所述第十NMOS管(MN10)的栅极,所述第十NMOS管(MN10)的漏极与所述第五PMOS管(MP5)的漏极相连,并连接所述第十一NMOS管(MN11)的栅极,所述第十一NMOS管(MN11)的漏极与所述第六PMOS管(MP6)的漏极连接,并输出所述PWM信号(Vout)。
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