[发明专利]一种塑封轴向二极管胶层涂敷方法有效
申请号: | 201410221474.9 | 申请日: | 2014-05-23 |
公开(公告)号: | CN104037097A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 陶慧娟 | 申请(专利权)人: | 南通皋鑫科技开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种塑封轴向二极管胶层涂敷方法,其创新点在于:将酸洗后经高温烘干水分的材料在上胶间冷却20~25分钟,然后将材料转移到上胶机上,打开高压氮,控制氮气压力,在管芯部位上第一遍白胶,涂敷的胶层呈算盘珠状,厚度为0.1-0.35mm,上胶结束后进入胶固化烘箱,烘烤110~130分钟,烘烤温度为118~121℃,烘烤结束后将其取出,放置上胶间冷却15~20分钟,对材料管芯部位进行第二次上胶,胶层厚度为0.1-0.35mm,上胶结束后进入胶固化烘箱烘烤,烘烤第一阶段温度为118~121℃,时间为110~130分钟,第二阶段温度为223~226℃,时间为475~480分钟。经过本发明上胶方法上胶的二极管的电性能和可靠性提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 塑封 轴向 二极管 胶层涂敷 方法 | ||
【主权项】:
一种塑封轴向二极管胶层涂敷方法,其特征在于:将酸洗后经高温烘干水分的材料在上胶间冷却20~25分钟,然后将材料转移到上胶机上,打开高压氮,控制氮气压力,在管芯部位上第一遍白胶,涂敷的胶层呈算盘珠状,胶层厚度为:0.1~0.35mm,上胶结束后进入胶固化烘箱,烘烤110~130分钟,烘烤温度为118~121℃,烘烤结束后将其取出,放置上胶间冷却15~20分钟,对材料管芯部位进行第二次上胶,胶层厚度为:0.1~0.35mm,上胶结束后进入胶固化烘箱烘烤,烘烤第一阶段温度为118~121℃, 时间为110~130分钟,第二阶段温度为223~226℃,时间为475~480分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通皋鑫科技开发有限公司,未经南通皋鑫科技开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410221474.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造