[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法在审

专利信息
申请号: 201410222253.3 申请日: 2014-05-23
公开(公告)号: CN105097544A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 严晓龙;吴建宏;彭思君;钟尚骅 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 刘永军;洪燕
地址: 201500 上海市金山区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:在衬底上至少依次形成有多晶硅层、栅极绝缘层以及栅极金属层;移除部分所述栅极金属层,使部分所述栅极绝缘层外露;以及采用离子注入法使掺杂离子穿透外露部分的所述栅极绝缘层。基于本发明仅蚀刻金属层而不蚀刻氮化硅和氧化硅层,能够提高掺杂离子注入的剂量均匀性,从而提升低温多晶硅薄膜晶体管的电均匀性。
搜索关键词: 一种 低温 多晶 薄膜晶体管 制造 方法
【主权项】:
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:在衬底上至少依次形成多晶硅层、栅极绝缘层以及栅极金属层;移除部分所述栅极金属层,使部分所述栅极绝缘层外露;以及采用离子注入法使掺杂离子穿透外露部分的所述栅极绝缘层。
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