[发明专利]用于图像传感器的介电膜有效
申请号: | 201410222357.4 | 申请日: | 2014-05-23 |
公开(公告)号: | CN104934451B | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 简荣亮;林哲民;张简旭珂;郑志成;黄智睦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种或多种图像传感器和用于形成这些图像传感器的技术。一种图像传感器包括配置为检测光的光电二极管。该图像传感器包括校准区域,将该校准区域配置为检测用于图像再现的色彩电平,诸如将校准区域配置为检测黑电平的黑校准区域,该黑电平用于通过光电二极管阵列检测的图像。图像传感器包括在光电二极管阵列和校准区域上方形成的介电膜。为改进校准区域的精准度,将介电膜配置为平衡光电二极管和校准区域之间的应力。本发明也提供了用于图像传感器的介电膜。 | ||
搜索关键词: | 用于 图像传感器 介电膜 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:光电二极管阵列,包括配置为检测光的一个或多个光电二极管;校准区域,配置为限定用于图像再现的色彩电平,形成的所述校准区域与所述光电二极管阵列横向间隔开;介电层,形成在所述光电二极管阵列上方,并且与所述光电二极管阵列直接接触,其中,金属栅格形成在所述光电二极管阵列和所述介电层之间,所述金属栅格配置为引导光朝向所述光电二极管阵列;以及介电膜,形成在所述光电二极管阵列和所述校准区域上方并且与所述介电层接触,所述介电膜具有在所述光电二极管阵列和所述校准区域上方延伸的平坦底面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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