[发明专利]一种超薄绝缘体上材料的制备方法

摘要

本发明提供一种超薄膜绝缘体上材料的制备方法，包括步骤1)在所述第一衬底表面外延第一掺杂单晶层、缓冲层、第二掺杂单晶层以及待转移层；2)低剂量离子注入至所述第一掺杂单晶层与第一衬底的界面以下预设深度；3)键合所述第二衬底的绝缘层与待转移层；4)退火剥离所述缓冲层与第一衬底；5)低剂量离子注入至所述第二掺杂单晶层与缓冲层的界面以上预设深度；6)键合所述第三衬底的绝缘层与缓冲层；7)退火剥离所述缓冲层与待转移层，获得两种绝缘体上材料。本发明采用两次注入剥离技术在制备超薄绝缘体上待转移层材料的同时，通过第二次剥离，还制备了另外一种绝缘体上材料，即，缓冲材料，这使得整个制备过程中几乎没有材料损耗。

主权项

一种超薄绝缘体上材料的制备方法，其特征在于，所述超薄绝缘体上材料的制备方法至少包括：1)提供第一衬底，于所述第一衬底表面依次外延生长第一掺杂单晶层、缓冲层、第二掺杂单晶层以及待转移层；2)进行低剂量离子注入，使离子从所述待转移层表面注入至所述第一掺杂单晶层与第一衬底的界面以下预设深度；3)提供表面具有第一绝缘层的第二衬底，并将所述第一绝缘层与所述待转移层进行键合；4)进行退火处理，使所述第一掺杂单晶层吸附所述步骤2)中的离子，剥离所述第一衬底；5)进行低剂量离子注入，使离子从所述缓冲层表面注入至所述第二掺杂单晶层与缓冲层的界面以上预设深度，该步骤中离子注入的能量小于步骤2)中离子注入的能量；6)提供表面具有第二绝缘层的第三衬底，并将所述第二绝缘层与所述缓冲层进行键合；7)进行退火处理，使所述第二掺杂单晶层吸附所述步骤5)中的离子，剥离缓冲层/第二绝缘层/第三衬底结构，获得绝缘体上待转移层及绝缘体上缓冲层。