[发明专利]半导体层表面粗化方法及具有表面粗化的LED结构形成方法在审
| 申请号： | 201410223412.1 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105097441A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60;H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体层表面粗化方法，包括：在半导体层之上形成固态的金属或合金薄膜；在高于金属或合金熔点的预设温度下退火预设时间，以使金属或合金薄膜液化为多个金属或合金液滴，然后降温至金属或合金的熔点以下，以使多个金属或合金液滴冷凝为多个金属或合金岛状凸起；以多个金属或合金岛状凸起为掩膜层，在半导体层顶表面刻蚀出凹凸结构以形成粗化表面；去除多个金属或合金岛状凸起。该半导体层表面粗化方法具有均匀性好，稳定可靠的优点。本发明还提出一种具有表面粗化的LED结构形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 方法 具有 led 结构 形成 | ||
【主权项】：
一种半导体层表面粗化方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述半导体层之上形成固态的金属或合金薄膜；在高于所述金属或合金熔点的预设温度下退火预设时间，以使所述金属或合金薄膜液化为多个金属或合金液滴，然后降温至所述金属或合金的熔点以下，以使所述多个金属或合金液滴冷凝为多个金属或合金岛状凸起；以所述多个金属或合金岛状凸起为掩膜层，在所述半导体层的顶部刻蚀出凹凸结构以形成粗化表面；去除所述多个金属或合金岛状凸起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
