[发明专利]一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法

摘要

本发明公开了一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法，所述方法按以下步骤实现多层堆叠硅通孔芯片间的键合：打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→键合→成品，所述键合过程中，利用电流焦耳热辅助键合工艺实现硅通孔三维互连焊点键合。本发明提供的焦耳热辅助实现三维封装键合方法能够在较低的温度甚至是常温下，实现全金属间化合物焊点的快速键合，有效的降低了芯片的热损伤；在定向电流的作用下，使焊点中的金属间化合物定向、择优、快速生长，焊点具备较高的导电性和优异的综合力学性能，有效的提高了焊点的可靠性；采用平行电极电阻焊实验平台，容易集成热板、超声装置，可以达到更为优异的键合效果，缩短键合时间。

主权项

一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法，按以下步骤实现多层堆叠硅通孔芯片间的键合：打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→键合→成品，其特征在于所述键合过程中，利用电流焦耳热辅助键合工艺实现硅通孔三维互连焊点键合。