[发明专利]一种纳米线阵列干涉传感器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种纳米线阵列干涉传感器及其制备方法，是在表面长有纳米线阵列的导电玻璃与45°/45°/90°玻璃三棱镜或半圆棱镜耦合，构建基于Kretschmann结构的角度调制型或波长调制型纳米线阵列干涉传感器，本发明制备工艺简单，与表面等离子体共振分析仪相比，大大简化了传感芯片的制作工艺，降低了器件的制作成本，大大提高了对折射率检测的灵敏度。在食品安全、环境监测、医学检验等领域具有广阔的商业化应用前景，有望被广泛推广应用。

主权项

一种纳米线阵列干涉传感器，其特征在于，表面长有纳米线阵列的导电玻璃与45°/45°/90°玻璃三棱镜或半圆棱镜耦合，构建基于Kretschmann结构的角度调制型或波长调制型纳米线阵列干涉传感器，所述的导电玻璃为覆盖有导电薄膜成的玻璃基底，该纳米线阵列干涉传感器由下到上依次包括45°/45°/90°玻璃三棱镜或半圆棱镜、玻璃基底、位于玻璃基底上的导电薄膜和在导电薄膜表面的作为干涉传感层的纳米线阵列，所述的纳米线阵列由生长方向垂直于导电薄膜纳米线平行排列构成；所述的玻璃基底是石英玻璃基底；所述的导电薄膜为ZnO导电薄膜、ITO导电薄膜或FTO导电薄膜；所述的纳米线阵列为TiO2纳米线阵列或ZnO纳米线阵列；所述的纳米线阵列中纳米线长度在2nm‑10cm之间，纳米线的横截面直径为5‑200nm，玻璃基底厚度为1mm‑10cm；导电薄膜的厚度为10nm‑1μm；纳米线阵列的厚度为2nm‑10cm。