[发明专利]半导体制作工艺在审
| 申请号： | 201410225048.2 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105097442A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 戴炘;廖玉梅;刘韦廷;彭文权 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体制作工艺，包含有：提供一半导体基材，其上形成有一底层、一硬掩模层，设于该底层上，以及一核心层，设于该硬掩模层上；在该核心层上形成一光致抗蚀剂图案；进行一第一各向异性干蚀刻制作工艺，将该光致抗蚀剂图案转移至该核心层，形成一核心层图案；对该核心层图案进行一后清洗制作工艺；在该后清洗制作工艺之后，在该核心层图案上沉积一间隙壁层；进行一第二各向异性干蚀刻制作工艺，蚀刻该间隙壁层，在该核心层图案的侧壁上，形成一间隙壁图案；去除该核心层图案；以及进行一第三各向异性干蚀刻制作工艺，将该间隙壁图案转移至该硬掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体制作工艺，包含有：提供一半导体基材，其上形成有底层、硬掩模层，设于该底层上，以及核心层，设于该硬掩模层上；在该核心层上形成一光致抗蚀剂图案；进行一第一各向异性干蚀刻制作工艺，将该光致抗蚀剂图案转移至该核心层，形成一核心层图案；对该核心层图案进行一后清洗制作工艺；在该后清洗制作工艺之后，在该核心层图案上沉积一间隙壁层；进行一第二各向异性干蚀刻制作工艺，蚀刻该间隙壁层，在该核心层图案的侧壁上，形成一间隙壁图案；去除该核心层图案；以及进行一第三各向异性干蚀刻制作工艺，将该间隙壁图案转移至该硬掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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