[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410225077.9 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104218085B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 金柱然 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：场绝缘层，形成在衬底中；层间电介质层，形成在场绝缘层上并包括暴露场绝缘层的至少一部分的沟槽；沉积绝缘层，形成在沟槽中以设置在场绝缘层上；栅极绝缘层，形成在沟槽中以设置在沉积绝缘层上；以及金属栅极，形成在沟槽中且在栅极绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一鳍，在衬底上；场绝缘层，设置在所述第一鳍的侧壁的一部分上并在所述衬底上；层间电介质层，在所述场绝缘层上并包括暴露所述场绝缘层的至少一部分的沟槽；沉积绝缘层，在所述沟槽中并在所述场绝缘层的所述部分上；栅极绝缘层，在所述沟槽中且在所述沉积绝缘层上；以及金属栅极，在所述沟槽中的所述栅极绝缘层上，其中从所述第一鳍的顶表面到所述金属栅极的顶表面的第一高度小于从所述场绝缘层到所述第一鳍的顶表面的第二高度。
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