[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410225111.2 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104576710B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 上马场龙;田口健介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其不增大末端区域的面积就能够提高耐压性能。本发明涉及的半导体装置的特征在于，在末端区域(21)中，具有P－型耐压保持区域(7)，其为从N－型衬底(1)的衬底表面(9)在预先设定的深度方向上形成的杂质区域；第1绝缘膜(10)，其在N－型衬底(1)上，以至少覆盖P－型耐压保持区域(7)的方式形成；第1场板(11)，其形成在第1绝缘膜(10)上；第2绝缘膜(12)，其以覆盖第1场板(11)及第1绝缘膜(10)的方式形成；以及第2场板(13)，其形成在第2绝缘膜(12)上，第1绝缘膜(10)的膜厚度在角部(24)中比在X方向直线部(22)及Y方向直线部(23)中厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备末端区域(21)，该末端区域(21)以俯视观察时包围元件区域(20)的方式设置并具有直线部(22、23)和角部(24)，该半导体装置的特征在于，在所述末端区域(21)中，具有：耐压保持区域(7)，其为从第1导电型衬底(1)的表面(9)在预先设定的深度方向上形成的第2导电型的低浓度的杂质区域；第1绝缘膜(10)，其在所述衬底(1)上，以至少覆盖所述耐压保持区域(7)的方式形成；第1场板(11)，其形成在所述第1绝缘膜(10)上；第2绝缘膜(12)，其以覆盖所述第1场板(11)整体及所述第1绝缘膜(10)的整个上表面的方式形成；以及第2场板(13)，其形成在所述第2绝缘膜(12)上，所述第1绝缘膜(10)包含在俯视观察时包围所述元件区域(20)的单一而连续的膜，该单一而连续的膜的膜厚度在所述角部(24)中比在所述直线部(22、23)中厚。
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