[发明专利]LED外延层结构及具有该结构的LED芯片在审
| 申请号： | 201410225155.5 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN103972335A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 马欢;徐迪;田艳红 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延层结构及具有该结构的LED芯片，该外延层结构包括依序生长的MQW层、电子阻挡层和P型GaN空穴注入层，P型GaN空穴注入层包括空穴注入层，P型GaN空穴注入层还包括生长于电子阻挡层与空穴注入层之间的P型AlGaN/GaN超晶格层。本发明提供的LED外延层结构通过在电子阻挡层和MQW层之间设置MQW保护层，再在电子阻挡层上设置P型AlGaN/GaN超晶格层，使得P型AlGaN/GaN超晶格层形成的二维载流子气利于空穴均匀扩展，提高电子与空穴的结合效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 具有 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED外延层结构，包括依序生长的MQW层、电子阻挡层和P型GaN空穴注入层，所述P型GaN空穴注入层包括空穴注入层，其特征在于，所述P型GaN空穴注入层还包括生长于所述电子阻挡层与所述空穴注入层之间的P型AlGaN/GaN超晶格层。
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