[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 201410225542.9 | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN103985708A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 李厚烨 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/50;H01L21/82 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 薄膜晶体管阵列基板包括基底、薄膜晶体管单元、支撑部、绝缘平坦层、第一电极、绝缘保护层和第二电极。薄膜晶体管单元包括漏极。支撑部位于基底上并位于薄膜晶体管单元的靠近漏极的一侧。漏极包括电极主体部、电极延伸部以及通过电极延伸部电连接于电极主体部的电极连接部,电极连接部覆盖支撑部上表面。绝缘平坦层覆盖薄膜晶体管单元并具有第二通孔露出电极连接部。绝缘保护层设有与第二通孔连通的第一通孔。第二电极填入第一通孔和第二通孔中与电极连接部电性连接。本发明还涉及薄膜晶体管阵列基板的制作方法。此薄膜晶体管阵列基板及其制作方法能有效避免盲孔的出现,提高漏极与第二电极电连接的良率,有利于减少点缺陷,提升显示品质。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,其包括:基底;薄膜晶体管单元,位于该基底上,该薄膜晶体管单元包括有栅极,栅极绝缘层,半导体层,源漏极接触层以及源极和漏极,该漏极包括电极主体部、电极延伸部以及通过该电极延伸部电连接于该电极主体部的电极连接部;支撑部,位于该栅极绝缘层上并位于该薄膜晶体管单元的靠近该漏极和该漏极接触层的一侧,该电极连接部覆盖该支撑部的远离该基底的上表面;绝缘平坦层,位于该基底上,覆盖该薄膜晶体管单元及该支撑部并具有平坦层通孔和第二通孔,该电极连接部从该绝缘平坦层的该第二通孔露出;第一电极,位于该绝缘平坦层上;绝缘保护层,覆盖该绝缘平坦层以及该第一电极,该绝缘保护层设有与该第二通孔连通的第一通孔;以及第二电极,位于该绝缘保护层上,并填入该第一通孔和该第二通孔中与该电极连接部电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的