[发明专利]半导体器件

摘要

改善半导体器件的性能。一种半导体器件具有彼此远离地形成在半导体衬底之上的第一电极和虚设电极、形成在第一电极和虚设电极之间、第一电极的周缘侧表面处以及虚设电极的周缘侧表面处的第二电极、以及形成在第一电极和第二电极之间的电容性绝缘膜。第一电极、第二电极和电容性绝缘膜形成电容性元件。此外，半导体器件具有第一插塞和第二插塞，第一插塞穿透层间绝缘膜并与第一电极电耦合，第二插塞穿透层间绝缘膜并与形成在与第一电极侧相对的虚设电极的侧表面处的第二电极的部分电耦合。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一电极，由在所述半导体衬底之上形成的第一导电膜形成；第一虚设电极，与所述第一电极远离地在所述半导体衬底之上形成，并且由第二导电膜形成，所述第二导电膜在与所述第一导电膜相同的层；第二电极，由第三导电膜形成，所述第三导电膜在所述第一电极和所述第一虚设电极之间、在所述第一电极的周缘侧表面处以及在所述第一虚设电极的周缘侧表面处形成；第一电容性绝缘膜，由形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一绝缘膜形成；层间绝缘膜，以使得覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述第一电容性绝缘膜这样的方式形成；第一耦合孔，穿透所述层间绝缘膜并到达所述第一电极；第二耦合孔，穿透所述层间绝缘膜并到达所述第二电极的在与所述第一电极侧相对的所述第一虚设电极的侧表面处形成的第一部分；第一耦合电极，由嵌入在所述第一耦合孔中的第四导电膜形成并且与所述第一电极电耦合；以及第二耦合电极，由嵌入在所述第二耦合孔中的第五导电膜形成并且与所述第二电极的所述第一部分电耦合，其中所述第一电极、所述第二电极和所述第一电容性绝缘膜形成第一电容性元件。