[发明专利]形成含碳外延硅层的方法在审
申请号: | 201410226203.2 | 申请日: | 2007-07-31 |
公开(公告)号: | CN103981568A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | Y·金;Z·叶;A·佐嘉吉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C30B25/02 | 分类号: | C30B25/02;C30B29/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在第一方面中,提供一种在基材上形成外延层叠层的方法。此方法包含:(1)选择所述外延层叠层的目标碳浓度;(2)在所述基材上形成含碳硅层,所述含碳硅层所具有的初始碳浓度、厚度以及沉积时间中的至少之一依据所选择的目标碳浓度进行选择;以及(3)在蚀刻前,在所述含碳硅层上形成非含碳硅层。亦提供多种其它方面。 | ||
搜索关键词: | 形成 外延 方法 | ||
【主权项】:
一种在基材上形成外延层叠层的方法,包含:(a)在所述基材上形成含碳硅层;(b)在蚀刻之前在所述含碳硅层上形成非含碳硅层;(c)使来自所述含碳硅层的碳分布至所述非含碳硅层;(d)蚀刻所述外延层叠层以移除所述非含碳硅层的一部分;(e)重复步骤(a)至(d),直至所述经蚀刻的外延层叠层具有期望的厚度;以及(f)控制所述含碳硅层的以下一个或多个:(i)初始碳浓度,(ii)厚度,以及(iii)沉积时间,以获得所述经蚀刻的外延层叠层的目标碳浓度。
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