[发明专利]一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构有效
| 申请号： | 201410226730.3 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN103996702B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 任敏;姚鑫;王为;许高潮;韩天宇;杨珏琳;李泽宏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 | 代理人： | 李顺德,王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构。本发明在器件终端区中提出终端击穿区，将雪崩击穿点限定在终端击穿区中，从而既避免了元胞击穿的寄生BJT导通问题，又避免了常规终端击穿时的雪崩电流路径过长，造成局部温升的问题，因此能够提高超结功率器件的雪崩耐量和可靠性。本发明的有益效果为，有效的缩短了器件雪崩击穿点在终端时的雪崩电流路径，在不影响器件击穿电压的前提下，提高了器件的抗UIS失效能力，提高了器件的可靠性。本发明尤其适用于超结功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 功率 器件 雪崩 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构，该终端结构包括第一导电类型半导体衬底(2)、设置在第一导电类型半导体衬底(2)下层的金属漏极(1)、设置在第一导电类型半导体衬底(2)上层的第一导电类型半导体外延区(3)，与终端相邻的器件元胞中包括位于第一导电类型半导体外延区(3)中的第二导电类型半导体掺杂柱(41)、位于第二导电类型半导体掺杂柱(41)上方的第二导电类型半导体体区(6)、位于体区(6)中的相互独立的第二导电类型半导体短路区(7)和第一导电类型半导体源区(8)，以及位于体区(6)之上的栅电极(9)和金属源极(11)；所述第一导电类型半导体外延区(3)上层远离器件元胞的一端设置有场限环(12)；其特征在于，该终端结构包括终端击穿区和终端耐压区，其中终端击穿区位于器件元胞和终端耐压区之间，击穿点位于所述终端击穿区内；位于终端耐压区中的第一导电类型半导体外延区(3)中设置有多个第二导电类型半导体掺杂柱(4)，位于终端击穿区中的第一导电类型半导体外延区(3)中设置有多个第二导电类型半导体掺杂柱(5)，且位于终端击穿区中的第二导电类型半导体掺杂柱(5)的掺杂深度比位于元胞区中的第二导电类型半导体掺杂柱(41)的掺杂深度短，位于终端击穿区中的第二导电类型半导体掺杂柱(5)的掺杂深度比位于终端耐压区中的第二导电类型半导体掺杂柱(4)的掺杂深度缩短10％～20％；位于终端击穿区的第二导电类型半导体掺杂柱(5)的上层设置有第二导电类型半导体区(10)，所述第二导电类型半导体区(10)与器件金属源极连接。
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