[发明专利]一种MoS2薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410227041.4 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104022158B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 杨方方;刘江涛;刘念华 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MoS2薄膜晶体管，其特征是由下层的基底层、中间的沟道层和上层的栅介质层构成，所述沟道层是单层MoS2薄膜，所述基底层由特定厚度SiO2构成，所述栅介质层为特定厚度HfO2层。本发明可通过改变基底层和栅介质层的厚度来增加晶体管的透射率，从而得到超高光透射率MoS2薄膜晶体管，从而增加薄膜晶体管液晶显示器中像素的开口率，提高显示质量，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos2 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种MoS2薄膜晶体管，由SiO2层作为下层基底层、MoS2薄膜作为中间的沟道层和HfO2层作为上层栅介质层而构成，SiO2层的折射率为n′，HfO2层的折射率n″，其特征是SiO2层厚度d1＝lλ/(2×n′)，HfO2层的厚度d2＝mλ/2n″，其中λ为透射光的波长，l和m为正整数；所述λ取红光波长、绿光波长或蓝光波长；采用单层石墨烯做MoS2薄膜晶体管的电极。
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