[发明专利]一种氢氟酸清洗机的制造方法在审
| 申请号： | 201410227528.2 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105280517A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 翟正平;张胜芳;张秋霞 | 申请（专利权）人： | 镇江跃进机械厂有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 成立珍 |
| 地址： | 212004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氢氟酸清洗机的制造方法：选择适合氢氟酸耐腐蚀要求的板材，且要求不影响超声波的效果；按照尺寸要求制作清洗槽；将清洗槽在清洗机上安装到位，调试清洗超声波强度，达到使用标准；加入氢氟酸溶剂，确认耐腐蚀效果。本发明的优点是能够较好的适应氢氟酸溶剂的腐蚀要求，并且达到超声波的强度测试要求，可以减少因金属结构清洗槽不能满足氢氟酸溶剂使用工艺要求而造成的不必要的损失，满足清洗新工艺要求，并且更好的延长清洗机使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢氟酸 清洗 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氢氟酸清洗机的制造方法，其特征在于包括以下步骤：（1）选择适合氢氟酸耐腐蚀要求的板材，且要求不影响超声波的效果；（2）按照尺寸要求制作清洗槽；（3）将清洗槽在清洗机上安装到位，调试清洗超声波强度，达到使用标准；（4）加入氢氟酸溶剂，确认耐腐蚀效果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
