[发明专利]利用温度循环法提高GaN基LED器件工作寿命的方法有效
| 申请号： | 201410227596.9 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103972336B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 邵春林;汪英杰 | 申请（专利权）人： | 内蒙古华延芯光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京权泰知识产权代理事务所(普通合伙)11460 | 代理人： | 任永利 |
| 地址： | 017400 内蒙古自治区鄂*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用温度循环法提高GaN基LED器件工作寿命的方法，包括以下步骤A.在基底1上采用低温气相沉积技术生长GaN缓冲层2，其中所述低温是500℃；B.采用高温气相沉积技术在所述GaN缓冲层2上生长GaN半导体层3，其中所述高温是1050℃；C.对所述GaN半导体层3进行至少一次温度循环处理，其中每一次温度循环中将温度从1050℃降到500℃,再升温到1055℃，然后降温到1050℃；D.在经过温度循环处理后的GaN半导体层3上，继续生长后续的其它各层。经过本发明的方法得到的半导体器件，晶体的位错密度减少，LED器件的发光工作寿命延长。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 温度 循环 提高 gan led 器件 工作 寿命 方法 | ||
【主权项】：
一种利用温度循环法提高GaN基LED器件工作寿命的方法，包括以下步骤：A.在基底(1)上采用低温气相沉积技术生长GaN缓冲层(2)，其中所述低温是500℃；B.采用高温气相沉积技术在所述GaN缓冲层(2)上生长GaN半导体层(3)，其中所述高温是1050℃；C.对所述GaN半导体层(3)进行至少一次温度循环处理，其中每一次温度循环中将温度从1050℃降到500℃,再升温到1055℃，然后降温到1050℃；D.在经过温度循环处理后的GaN半导体层(3)上，继续生长后续的其它各层。
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