[发明专利]改善光阻曝光形貌的方法、图案化半导体衬底的方法无效
| 申请号： | 201410227735.8 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103984212A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 魏娟;徐炯;周维;魏峥颖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善光阻曝光形貌的方法以及图案化半导体衬底的方法，通过：在半导体衬底表面沉积复合薄膜层，复合薄膜层的表面具有低反射率；在复合薄膜层上涂覆光阻；对光阻进行曝光、显影，从而图案化光阻。利用该复合薄膜层的表面具有较低的反射率的特性，在曝光过程中，光阻不会形成倒梯形状，避免了光阻发生倒塌缺陷，提高了曝光质量和光刻工艺质量，以及提高了后续图案化半导体衬底的工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 曝光 形貌 方法 图案 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
一种改善光阻曝光形貌的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底表面沉积复合薄膜层，所述复合薄膜层的表面具有低反射率；在所述复合薄膜层上涂覆光阻；对所述光阻进行曝光、显影，从而图案化所述光阻。
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