[发明专利]一种半导体封装件及制造方法有效
| 申请号： | 201410228272.7 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103985645B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 周刚;徐锋;代啸宁 | 申请（专利权）人： | 无锡必创传感科技有限公司;北京必创科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 牛峥,王丽琴 |
| 地址： | 214024 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装件及其制造方法，在半导体芯片顶面的预定义封装开口区形成至少一圈环绕封装开口区域中心的沟槽，以在进行压膜工艺发生封装胶体溢胶时，溢胶可沿沟槽扩散，有效的改变了溢胶的形貌，提高半导体封装件批量生产时的一致性的同时，降低溢胶对半导体封装件温度特性的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，包括：提供待封装半导体芯片，所述待封装半导体芯片的顶面具有预定义的封装开口区域；在所述待封装半导体芯片的顶面形成光敏涂覆层；对所述光敏涂覆层进行曝光显影，以在位于所述封装开口区域的所述光敏涂覆层中形成至少一圈环绕所述封装开口区域中心的沟槽；将待封装半导体芯片的底面设置于引线框架的芯片座；通过打线工艺将引线一端与所述待封装半导体芯片的焊盘键合，将引线另一端与所述引线框架的管脚键合；执行压膜工艺，以利用封装胶体包覆所述待封装半导体芯片及引线，并暴露预定义的封装开口区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡必创传感科技有限公司;北京必创科技有限公司，未经无锡必创传感科技有限公司;北京必创科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410228272.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：综合传感网业务中间件及其实现业务传送的方法
- 下一篇：高耐候高密封不锈钢电机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
