[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410228507.2 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105336589B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 徐建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括：提供包括第一区域的半导体衬底，表面形成有介质层，介质层内具有暴露出部分半导体衬底第一区域表面的第一凹槽；在第一凹槽内壁表面和介质层上形成栅介质材料层；在栅介质材料层上形成保护材料层；采用物理气相沉积工艺，在保护材料层上形成粘附材料层；采用原子层沉积工艺，在粘附材料层上表面形成第一功函数材料层粘附材料层与第一功函数材料层的材料相同；在第一功函数材料层上形成栅极金属层，栅极金属层填充满所述凹槽；以介质层表面为停止层，对栅极金属层、第一功函数材料层、粘附材料层、保护材料层和栅介质材料层进行平坦化处理，形成位于所述第一凹槽内的第一栅极结构。上述方法可以提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述半导体衬底表面形成有介质层，所述介质层内具有暴露出部分半导体衬底第一区域表面的第一凹槽；在所述第一凹槽内壁表面和介质层上形成栅介质材料层；在所述栅介质材料层上形成保护材料层；采用物理气相沉积工艺，在所述保护材料层上形成粘附材料层；采用原子层沉积工艺，在所述粘附材料层上表面形成第一功函数材料层，所述粘附材料层与第一功函数材料层的材料相同；在所述第一功函数材料层上形成栅极金属层，所述栅极金属层填充满所述凹槽；以所述介质层表面为停止层，对所述栅极金属层、第一功函数材料层、粘附材料层、保护材料层和栅介质材料层进行平坦化处理，形成位于所述第一凹槽内的第一栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
