[发明专利]碳纳米管导电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201410228513.8 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104051059A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈克勇;朱文峰;毕萌;杨忠芝 | 申请（专利权）人： | 东莞市纳利光学材料有限公司;深圳比科斯电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤 |
| 地址： | 523750 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳纳米管导电薄膜及其制备方法，制备方法包括如下步骤：(1)在基膜的一面涂布高透底涂溶液，烘干后形成高透底涂层；在基膜的另一面涂布疏水溶液，烘干后形成疏水层；(2)将步骤(1)处理后的基膜浸入碳纳米管分散液中，2-5min后取出烘干，即在高透底涂层上形成碳纳米管薄膜；(3)依次用强酸溶液、丙酮、乙醇和水清洗步骤(2)得到的导电膜，烘干即得所述碳纳米管导电薄膜。本发明制备的碳纳米管导电薄膜综合性能良好可广泛使用在光、电器件上。同时本方法工艺流程简单、操作方便、对环境因素要求低，且不造成任何影响，满足工业大面积、大批量生产需求。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在基膜的一面涂布高透底涂溶液，烘干后形成高透底涂层；在基膜的另一面涂布疏水溶液，烘干后形成疏水层；(2)将步骤(1)处理后的基膜浸入碳纳米管分散液中，2‑5min后取出烘干，即在高透底涂层上形成碳纳米管薄膜；(3)依次用强酸溶液、丙酮、乙醇和水清洗步骤(2)得到的导电膜，烘干即得所述碳纳米管导电薄膜。
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