[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410229127.0 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105140172B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种互连结构及其形成方法，其中互连结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有介质层；在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出所述衬底表面；在所述开口内形成填充满开口的金属层，所述金属层表面与介质层顶部平齐；在所述金属层表面以及介质层表面形成半导体覆盖层；对所述半导体覆盖层进行退火处理，将位于金属层表面的半导体覆盖层转化为金属帽层。本发明能有效的阻挡金属层顶角区域的金属原子的扩散，进一步提高互连结构的抗电迁移能力，优化互连结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有介质层；在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出所述衬底表面；在所述开口内形成填充满开口的金属层；在所述金属层表面以及介质层表面形成半导体覆盖层；对所述半导体覆盖层进行退火处理，将位于金属层表面的半导体覆盖层转化为金属帽层；在形成所述金属帽层之后，还包括步骤：对所述金属帽层以及位于介质层表面的半导体覆盖层进行氮化处理，将金属帽层转化为金属氮化物层，将半导体覆盖层转化为半导体氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
