[发明专利]基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺有效
申请号: | 201410229458.4 | 申请日: | 2014-05-28 |
公开(公告)号: | CN103972171B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 沈灿彬 | 申请(专利权)人: | 江苏联恒物宇科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 214527 江苏省泰*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺,包括1)定位识别;2)切槽自动对位;3)激光透切;4)正面贴膜;5)UV照射;6)芯片反置;7)背面贴膜;8)再次反置;9)脱正面膜,9个步骤,芯片的正面向上的切割模式,能够有效地保护好芯片表面已经置好的凸球,并防止芯片表面被划伤,从正面进行激光透切,能有效地将切割熔渣从背面的工作盘缝隙中排出保证芯片正面无异物,从而提高切割质量,防止因熔渣连接到芯片电路而导致失效,提高出品合格率,采用激光切割头,无需更换刀头,携带能量70W,切割速度100mm/s,能够保证切割出的芯片边缘不出现毛刺,效果佳,代替了传统的切割工艺,具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 基于 液体 印刷 不锈钢 基底 芯片 切割 工艺 | ||
【主权项】:
基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺,其特征在于:液体硅印刷的芯片等间隔排列在不锈钢基底的正面,将不锈钢基底放置到切割台上,对不锈钢基底正面的芯片进行切割的工艺,具体包括以下步骤,步骤(1),定位识别,将不锈钢基底在校正平台上自动进行方位定位识别;步骤(2),切槽自动对位,将定位识别后的不锈钢基底在切割平台上进行水平切割对位;步骤(3),激光透切,激光切割头分别沿不锈钢基底上的芯片X方向和Y方向的切割槽对不锈钢基底从正面向背面方向进行透切,将不锈钢基底上的各芯片进行分离开,所述激光切割头携带能量为60‑80W,切割速度为90‑110mm/s;步骤(4),正面贴膜,将不锈钢基底放置到贴膜工作平台上,在不锈钢基底的正面贴一层UV膜;步骤(5),UV照射,将正面贴膜的不锈钢基底放入UV照射设备,去除正面UV膜的粘性;步骤(6),芯片反置,将已去除粘性的正面贴膜的不锈钢基底反置在贴膜工作平台上;步骤(7),背面贴膜,在不锈钢基底的背面粘贴一层吸片膜;步骤(8),再次反置,将背面贴膜的不锈钢基底的正面朝上;步骤(9),脱正面膜,将不锈钢基底正面的UV膜取下,完成芯片切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造