[发明专利]一种静电屏蔽效应晶体管及其设计方法有效
| 申请号： | 201410230525.4 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104009087B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张雷 | 申请（专利权）人： | 深圳市盛元半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/60;H01L29/06;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电屏蔽效应晶体管及其设计方法，包括有集电极、槽型栅极、基区、氧化层、多晶硅层以及发射极；其中，所述集电极包括有引出端、N+衬底、N+导电材料层、N‑导电材料层；所述N‑导电材料层上设置有槽型栅极，在沟槽底部注入一定浓度的B离子以作为P+区，栅极之间设有注有B离子的基区；栅极和基区上面设有氧化层，基区和氧化层上开设有发射极，氧化层上淀积有多晶硅层，多晶硅层经过高温扩散后在发射极下面形成发射区。本发明静电屏蔽效应晶体管具有超浅结的发射极和基区，小尺寸的发射极和基区，器件的发射极电流集边效应、基区挤流效应将大大改善。且由于器件结构和基区超浅结深，提升了空穴的抽取速度以及器件的高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电屏蔽 效应 晶体管 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种静电屏蔽效应晶体管，其特征在于，包括有：集电极、槽型栅极、基区、氧化层、多晶硅层以及发射极；其中，所述集电极包括有引出端、N+衬底、N+导电材料层、N‑导电材料层；所述集电极的引出端、N+衬底、N+导电材料层以及N‑导电材料层依次相连，所述N‑导电材料层上设置有槽型栅极，在沟槽底部注入一定浓度的B离子以作为P+区，所述P+区域上面设有P型EPI 工艺SI填充区域；栅极之间设有注有B离子的基区，栅极和基区通过扩散后连成一体；栅极和基区上面设有氧化层，基区和氧化层上开设有发射极，同时氧化层上淀积有多晶硅层，多晶硅层先离子注入P,然后再离子注入As，同时形成导电层；发射极上面的多晶硅层经过高温扩散后在发射极下面形成发射区。
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