[发明专利]适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片无效
| 申请号： | 201410231128.9 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104218282A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215129 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，其包括一低热阻氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×1.0mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有银浆，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过优化电路结构设计提高了厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片的微波性能获得了更小的驻波比以及更好的衰减精度。厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，适用4G通讯要求可达到目前的4G网络的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 适用 通讯 要求 电路 氮化 陶瓷 10 db 衰减 | ||
【主权项】：
一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，其特征在于：包括一低热阻氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×1.0mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有银浆，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过优化电路结构设计提高了厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片的微波性能获得了更小的驻波比以及更好的衰减精度；厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，可达到目前的4G网络的应用要求。
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