[发明专利]制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底在审
| 申请号： | 201410231410.7 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104278322A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 本家翼;冲田恭子;川濑智博;堀勉 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底。提高了碳化硅单晶的质量。制备具有第一侧和第二侧的坩埚。将用于利用升华方法生长碳化硅的固体源材料布置在第一侧。将由碳化硅制成的籽晶布置在第二侧。将坩埚布置在绝热容器中。绝热容器具有面向第二侧的开口。加热坩埚，使固体源材料升华。通过绝热容器中的开口测量第二侧的温度。开口具有向着绝热容器的外侧变窄的锥形内表面。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 方法 衬底 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅单晶的方法，包括以下步骤：制备具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧的坩埚；在所述坩埚中的所述第一侧，布置用于利用升华方法生长碳化硅的固体源材料；在所述坩埚中的所述第二侧布置由碳化硅制成的籽晶；将所述坩埚布置在绝热容器中，所述绝热容器具有面向所述坩埚的所述第二侧的开口；加热所述坩埚，使得所述固体源材料升华并在所述籽晶上再结晶；并且通过所述绝热容器中的所述开口，测量被加热的所述坩埚的所述第二侧的温度，所述绝热容器中的所述开口具有向着所述绝热容器的外侧变窄的锥形内表面。
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