[发明专利]一种场效应管片上阵列热电转换器及其全自对准制造工艺有效
| 申请号： | 201410233557.X | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103985811A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 袁寿财;谢晓春;韩建强;袁新娣;廖昱博 | 申请（专利权）人： | 赣南师范学院 |
| 主分类号： | H01L35/00 | 分类号： | H01L35/00;H01L35/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 341000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属体硅微机械制造技术与硅栅自对准CMOS集成电路工艺相结合的技术领域，具体涉及一种场效应管片上阵列热电转换器及其全自对准制造工艺。为了解决上述技术问题，本发明提供了这样一种场效应管片上阵列热电转换器，包括有P型硅衬底、硅岛、浓硼掺杂硅层、深槽、深槽内浓硼掺杂硅层、多晶硅、场区氧化层，P型硅衬底上加工有两个硅岛，P型硅衬底对应于硅岛区域的底部注入有浓硼掺杂硅层，P型硅衬底四周边缘加工有方形深槽，深槽中注入有浓硼掺杂硅层，多晶硅填充在深槽内，深槽与硅岛、硅岛与硅岛通过场区氧化层连接在一起。本发明达到了响应速度快，测量频带宽、动态和过负载特性优良、结构新颖的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 管片 阵列 热电 转换器 及其 对准 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种场效应管片上阵列热电转换器，其特征在于，包括有P型硅衬底（1）、硅岛（13）、浓硼掺杂硅层（2）、深槽（5）、多晶硅（6）、场区氧化层（8）、刻蚀槽（12），P型硅衬底（1）上加工有两个硅岛（13），P型硅衬底（1）对应于硅岛（13）区域的底部注入有浓硼掺杂硅层（2），P型硅衬底（1）四周边缘加工有方形深槽（5），左边深槽（5）旁还加工有一道与其平行的深槽（5），深槽（5）中注入有浓硼掺杂硅层（2），多晶硅（6）填充在深槽（5）浓硼掺杂硅层（2）内，深槽（5）与硅岛（13）、两硅岛（13）之间通过场区氧化层（8）支撑并连接在一起，P型硅衬底（1）背面自对准刻蚀形成刻蚀槽（12）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赣南师范学院，未经赣南师范学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410233557.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电子笔
- 下一篇：梳理机的梳棉辊筒墙板与机架的配合结构
