[发明专利]一种脉冲功率开关电路封装结构有效

专利信息
申请号: 201410233875.6 申请日: 2014-05-29
公开(公告)号: CN104051442A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 梁琳;常文光 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/16;H01L23/488;H03K17/56
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 廖盈春
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种脉冲功率开关电路封装结构。包括第一铜箔、半导体脉冲功率开关芯片、电容、第二铜箔、铜柱、磁开关和第三铜箔;电容的一端焊接第三铜箔,另一端焊接铜柱的一端,铜柱与电容的中心轴垂直,铜柱的另一端穿过磁开关的中心焊接至第二铜箔的一端,第二铜箔与电容的中心轴平行,其另一端靠近电容的一面焊接半导体脉冲功率开关芯片的阳极,半导体脉冲功率开关芯片的阴极焊接第一铜箔。本发明将多个外围器件与半导体脉冲功率开关封装在一起形成一个整体模块,体积小,功能完善,降低了杂散参数并简化了外围电路,采用新型封装工艺,增强了功率器件的稳定性,降低了成本。
搜索关键词: 一种 脉冲 功率 开关电路 封装 结构
【主权项】:
一种脉冲功率开关电路封装结构,其特征在于,包括第一铜箔(1)、半导体脉冲功率开关芯片(2)、电容(3)、第二铜箔(4)、铜柱(5)、磁开关(6)和第三铜箔(7);所述电容(3)的一端焊接所述第三铜箔(7),另一端焊接所述铜柱(5)的一端,所述铜柱(5)与所述电容(3)的中心轴垂直,所述铜柱(5)的另一端穿过所述磁开关(6)的中心焊接至所述第二铜箔(4)的一端,所述第二铜箔(4)与所述电容(3)的中心轴平行,其另一端靠近所述电容(3)的一面焊接所述半导体脉冲功率开关芯片(2)的阳极,所述半导体脉冲功率开关芯片(2)的阴极焊接所述第一铜箔(1)。
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