[发明专利]一种具有光栅结构的边发射半导体激光器及制作方法

摘要

本发明涉及一种具有光栅结构的边发射半导体激光器及制作方法，包括以下步骤：在砷化镓衬底上依次制备N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层和P型欧姆接触层；在P型欧姆接触层的上表面光刻出脊形台面；在P型限制层的上方及两侧淀积二氧化硅绝缘层；在二氧化硅绝缘层的上表面光刻出引线孔，在脊形台面中间的脊形结构的上表面光刻出光栅结构；在二氧化硅绝缘层及带有光栅结构的脊形台面的上表面制备上层P型电极；在砷化镓衬底的下底面制备下层N型电极。本发明能够减少有源区的载流子泄露，降低激光器的阈值电流，消除载流子复合后光斑的移动，稳定半导体激光器的测向模式，制备工艺简单，成本低。

主权项

一种具有光栅结构的边发射半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底(7)上依次制备N型限制层(5)、N型波导层(3)、多量子阱有源区(1)和P型波导层(2)，在P型波导层(2)的上表面制备中央带有长条状凸起的P型限制层(4)，在P型限制层(4)的长条状凸起的上表面制备P型欧姆接触层(6)，所述砷化镓衬底(7)、N型限制层(5)、N型波导层(3)、多量子阱有源区(1)、P型波导层(2)、P型限制层(4)和P型欧姆接触层(6)组成分离异质结构；步骤2：在P型欧姆接触层(6)的上表面光刻出脊形台面(18)；步骤3：在P型限制层(4)的长条状凸起两侧的平台、长条状凸起的侧壁及脊形台面(18)上表面的边缘淀积二氧化硅绝缘层(8)；步骤4：在二氧化硅绝缘层(8)的上表面光刻出引线孔(19)，在脊形台面(18)中间的脊形结构的上表面光刻出光栅结构(20)；步骤5：在二氧化硅绝缘层(8)及带有光栅结构(20)的脊形台面(18)的上表面制备上层P型电极(9)；步骤6：对带有上层P型电极(9)的分离异质结构进行减薄抛光，减薄抛光后，在砷化镓衬底(7)的下底面制备下层N型电极(10)。