[发明专利]一种阵列基板的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410234421.0 申请日: 2014-05-29
公开(公告)号: CN104022078A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 郭会斌;王守坤;刘晓伟;冯玉春;郭总杰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种阵列基板的制备方法,涉及显示技术的制备领域,可减少制备具有刻蚀阻挡层的阵列基板的构图工艺次数,提高生产效率,降低成本。该方法包括在衬底基板上通过第一次构图工艺形成包括栅极、栅线、公共电极线的图案层;通过第二次构图工艺形成栅绝缘层、有源层薄膜、以及刻蚀阻挡层;其中,刻蚀阻挡层与待形成的源极和漏极之间的间隙对应;在公共电极线上方形成露出公共电极线的过孔;通过第三次构图工艺至少形成有源层、包括源极、漏极、数据线的图案层、以及保护层;其中,保护层露出漏极的一部分;通过第四次构图工艺至少形成像素电极;其中,像素电极与漏极电连接。用于阵列基板的制备。
搜索关键词: 一种 阵列 制备 方法
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括,在衬底基板上通过第一次构图工艺形成包括栅极、栅线、公共电极线的图案层;在形成有包括所述栅极、所述栅线、所述公共电极线的图案层的基板上,通过第二次构图工艺形成栅绝缘层、有源层薄膜、以及刻蚀阻挡层;其中,所述刻蚀阻挡层与待形成的源极和漏极之间的间隙对应;在所述公共电极线上方形成露出所述公共电极线的过孔;在形成有包括所述栅绝缘层、所述有源层薄膜、以及所述刻蚀阻挡层的基板上,通过第三次构图工艺至少形成有源层、包括源极、漏极、数据线的图案层、以及保护层;其中,所述保护层露出所述漏极的一部分;在形成有至少包括所述有源层、包括所述源极、所述漏极、所述数据线的图案层、以及所述保护层的基板上,通过第四次构图工艺至少形成像素电极;其中,所述像素电极与所述漏极电连接。
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