[发明专利]π型高频高精度10瓦21dB衰减片无效
| 申请号： | 201410235156.8 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104241774A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215129 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种π型高频高精度性10瓦21dB衰减片，其包括一氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×0.635mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有一层厚膜银浆料，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，所述衰减电路采用π型电路原型进行设计。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过优化电路结构设计提高了π型10瓦21dB衰减片的微波性能获得了更小的驻波比以及更好的衰减精度。π型10瓦21dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，可达到目前的4G网络的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 高精度 10 21 db 衰减 | ||
【主权项】：
一种π型高频高精度10瓦21dB衰减片，其特征在于：其包括一氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×0.635mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有一层厚膜银浆料，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，所述衰减电路采用π型电路原型进行设计。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州市新诚氏电子有限公司，未经苏州市新诚氏电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410235156.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
